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北京京诚宏泰科技有限公司是一家集代理、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。专业销售代理国内外电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB, IXYS艾赛斯、Mitsubishi三菱、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Fairchild飞兆半导体、Sanken三肯、因达NIEC,美国IR,NELL尼尔;yaskawa安川;英国西玛,西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器;日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;红宝石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、美国BHC电解电容以及美国CDE无感电容;CONCEPT IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动板,操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元
销售各大半导体功率器件工业备品配件:IGBT模块;单管IGBT模块;双管半桥IGBT模块;4单元H桥IGBT模块;3单元IGBT模块;6单元三相全桥IGBT模块;
三电平IGBT模块;6500V高压IGBT模块;3300V高压IGBT模块;4500V高压IGBT模块;IPM模块;PIM模块;PLC模块;GTR达林顿模块 ;GTO晶闸管;普通晶闸管;
快速晶闸管; 二极管;快恢复二极管;整流桥;刹车整流器;单相整流桥;三相整流桥;全控整流桥;半控整流桥;可控硅;双向可控硅;反并联可控硅;驱动板;
IGBT驱动板;可控硅驱动板;可控硅触发板;晶闸管触发板; MOSFET管;场效应模块;电容;直流铝电解电容;交流滤波电容;启动电容器;无功补偿电容器;
快熔;延时慢熔;智能功率模块;智能晶闸管模块;工业触摸屏;操作面板;工控机;变频器整机及配件;软启动器整机及配件;电力调整器整机及配件;
ABB变频传动备件;西门子变频传动/直流调速备件;风电/煤矿/石油/铁路/光伏/新能源汽车备件!
主要销售德国,欧洲、美国、日本等品牌模块。公司一直本着“质量*,价格合理, 交货快捷,客户至上”。公司经 营的电力功率模块,主要用于航天航空,机场设施,电机调速,矿山焊机,船舶舰艇,通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 、UPS、变频与传动、电动汽车、电力系统无功补偿装置UPS逆变器/UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、机车主牵引变流器、电梯变频器 、起重专用变频器 、 感应加热、电源电镀/电解电源 、有源滤波/无功补偿、机车辅助逆变器、逆变焊机;京诚宏泰科技 在逆变焊机、不间断电源UPS、Inverter变频器、数控伺服、电动汽车、风力太阳能发电等领域与客户战略合作,全力支持中国电力电子工业发展!
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北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块;可控硅模块;整流桥模块;二极管模块;晶闸管;IPM模块
产品参数:
FF800R12KE7 IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 800 A 底座安装 AG-62MM 双低饱和和快速沟槽 IGBT 模块,
带有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和发射极控制的 7 二极管。
62 mm 1200 V, 800 A 低饱和压降的Fast trench IGBT半桥模块,采用TRENCHSTOP™ IGBT7和发射极控制第7代二极管。也可提供预涂导热介质版本。
产品规格:
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:半桥
电压 - 集射极击穿:1200 V
电流 - 集电极 (Ic):800 A
电流 - 集电极截止:100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):122 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-62MM
产品特征:
高功率密度
的 VCE,SAT
Tvj op = 175°C 过载
高爬电距离和电气间隙
符合 RoHS 标准
4 kV AC 1 分钟绝缘
CTI > 400 的封装
通过 UL1557 E83336 获得 UL/CSA 认证
优势:北京京诚宏泰科技有限公司供应 亚洲体育场排名榜
具有更高电流能力的现有封装,允许在相同框架尺寸的情况下增加逆变器输出功率
高功率密度
避免 IGBT 模块并联
通过简化逆变器系统降低系统成本
灵活性
高的可靠性
产品应用领域:
不间断电源(UPS)
储能系统
电机控制和驱动
商用、建筑和农用车辆 (CAV)
变频器
IGBT是什么?
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
优点:热稳定性好、安全工作区大。
缺点:击穿电压低,工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司供应 亚洲体育场排名榜
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉
第七代IGBT型号:
FF900R12ME7P_ B11
FF450R12ME7_ B11
FF900R12ME7W_ _B11
FF900R12ME7_ B11
FF600R12ME7_ B11
FF800R12KE7
FF300R12ME7_ B11
FF750R12ME7_ _B11
FF750R17ME7D_ B11
FF225R17ME7_ _B11
FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7
FF2400RB12IP7P
FF2400RB12IP7
F3L400R10W3S7F_ B11
F3L600R10W4S7F_ C22
FS3L200R10W3S7F_ B94
F3L 400R10W3S7_ _B11
FS3L200R10W3S7F_ B11
FP15R12W1T7_ B3
FP15R12W1T7
FP15R12W1T7P_ B11
FP25R12W2T7
FP50R12W2T7_ B11
FP25R12W1T7
FP50R12W2T7
FP35R12W2T7_ B11
FP10R12W1T7_ B11
FP35R12W2T7
FP25R12W1T7_ B11
FP25R12W2T7_ B11
FP15R12W1T7_ _B11
FP10R12W1T7_ B3 .
FP15R12W1T7P
FP100R12W3T7 B11
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