伯东企业（上海）有限公司
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上海伯东美国 KRi 霍尔离子源辅助速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐 IBAD 应用
上海伯东美国KRi霍尔离子源EH系列,提供高电流低能量宽束型离子束,KRi霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面,多种型号满足科研及工业,半导体应用.霍尔离子源高电流提高速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐沉积速率,低能量减少离子轰击损伤表面,宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区.整体易操作,易维护,安装于各类真空设备中,例如e-beam电子束速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐机,loadlock,溅射系统,分子束外延,脉冲激光沉积等,实现IBAD辅助速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐的工艺.KRi霍尔离子源特点高电流低能量宽束型离子束灯丝寿命更长更长的运行时间更清洁的薄膜灯丝安装在离子源 - 半导体材料（semiconductormaterial）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料，是科学研究的重要材料。本文主要介绍上海伯东KRI离子源在半导体材料SiO2中的预清洗及刻蚀应用。SiO2预清洗的原因:SiO2在刻蚀前需要将其表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层等去除，且不破坏晶体
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上海伯东KRI 离子源在锗基红外速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐中的应用
红外光学薄膜器件作为红外系统重要组成部分,已广泛应用于航空航天、国防、环保、分析仪器等各个领域.在红外光学应用中,由于锗在2～14μm红外波段内有高而均匀的透过率,是一种不可替代的优良红外光学材料.锗单晶切片加工成的锗透镜及锗窗和利用锗单晶透过红外波长特性制成的各种红外光学部件广泛用于各类红外光学系统.锗作为常用的红外光学元件材料,具有折射率高、表面反射损失大以及表面易划伤等特点,因此必须镀制高性能红外增透膜,膜层强度差一直是一个难题,其原因是膜层材料结构疏松、易吸潮.因此,加工过程除了选择好的 -
KRi 离子源 e-beam电子束蒸发系统辅助速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐应用
上海伯东美国KRi考夫曼离子源e-beam电子束蒸发系统辅助速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐应用上海伯东美国KRi考夫曼离子源KDC系列,通过加热灯丝产生电子,是典型的考夫曼型离子源,离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束,通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜,实现辅助速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐IBAD.e-beam电子束蒸发系统加装KRi离子源作用通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学,以增加表面和原子/分子的流动性,从而导致薄膜的致密化.通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化,从而得到化学 - KRi离子源常见工艺应用通过使用上海伯东美国KRi离子源可以对材料进行加工,真空环境下,实现沉积薄膜,干式蚀刻和材料表面改性等工艺.KRi离子源常见工艺应用工艺应用简称In-situsubstratepreclean预清洁PCIon-beammodificationofmaterialａndsurfaceproperties材料和表面改性IBSM-Surfacepolishingorsmoothing表面抛光-Surfacenanostructuresａndtexturing表面纳米结构和纹理-
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KRi 射频离子源 RFICP 100 应用于国产离子束溅射速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐机 IBSD
上海伯东美国KRi射频离子源应用于国产离子束溅射速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐机IBSD上海伯东客户某高校使用国产品牌离子束溅射速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐机用于金属薄膜制备,工艺過程中,国产离子源钨丝仅使用18个小时就会烧断,必须中断速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐工艺更换钨丝,无法满足长时间离子束溅射速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐的工艺要求,导致薄膜质量低的情况.客户需要离子源的稳定工作时间不低于48个小时,经过伯东推荐最终改用美国KRi射频离子源RFICP100替换原有的国产离子源,单次工艺时间可以达到数百小时,符合客户长时间速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐的工艺要求,维持高稳定离子束溅射工艺获得高品质薄膜.上海伯东真 - KRI离子源应用于超高真空磁控溅镀设备UHVSputter上海伯东代理美国KRI离子源应用于超高真空磁控溅镀设备UHVSputter实现高质量薄膜!超高真空环境的特征为其真空压力低于10-8至10-12托,且在化学,物理和工程领域十分常见.超高真空环境对于科学研究非常重要,因实验通常要求在整个实验的过程中,表面应保持无污染状态并可使用较低能量的电子和离子的实验技术使用,而不会受到气相散射的干扰并可以在这样超高真空环境下使用溅镀系统以提供高质量的薄膜.针对超高真空和高温加热设计的基板旋转速盈娱乐联3.7.9.9.7 天乐机构,
- 考夫曼离子源创始人Dr.HaroldR.KaufmanKaufman博士1926年在美国出生,1951年加入美国NASA路易斯研究中心,60年考夫曼博士发明了电子轰击离子推进器并以他的名字命名(考夫曼推进器).1969年美国航空航天学会AIAA授予他JamesH.Wyld推进奖,1970年考夫曼推进器赢得了IR100(前身研发100奖),1971年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖.2016年,美国NASA宇航局将HaroldKaufman博士列入格伦研究中心名人堂1978年Kaufman&Ro
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