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产品简介
离子束流: >250 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝.
加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.
考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用.
产品介绍
KRI 考夫曼离子源 KDC 75
上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数
| 型号 | KDC 75 / KDC 75L(低电流输出) |
| 供电 | DC magnetic confinement |
| - 阴极灯丝 | 2 |
| - 阳极电压 | 0-100V DC |
| 电子束 | OptiBeam™ |
| - 栅极 | 专用, 自对准 |
| -栅极直径 | 7.5 cm |
| 中和器 | 灯丝 |
| 电源控制 | KSC 1212 或 KSC 1202 |
| 配置 | - |
| - 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
| - 安装 | 移动或快速法兰 |
| - 高度 | 7.9' |
| - 直径 | 5.5' |
| - 离子束 | 聚焦 |
| -加工材料 | 金属 |
| -工艺气体 | 惰性 |
| -安装距离 | 6-24" |
| - 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生
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