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具体成交价以合同协议为准
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3"
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2
美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3"
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 400 特性
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
• 等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:
| 型号 | eH 400 / eH 400 LEHO |
| 供电 | DC magnetic confinement |
| - 电压 | 40-300 V VDC |
| - 离子源直径 | ~ 4 cm |
| - 阳极结构 | 模块化 |
| 电源控制 | eHx-3005A |
| 配置 | - |
| - 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
| - 离子束发散角度 | > 45° (hwhm) |
| - 阳极 | 标准或 Grooved |
| - 水冷 | 前板水冷 |
| - 底座 | 移动或快接法兰 |
| - 高度 | 3.0' |
| - 直径 | 3.7' |
| - 加工材料 | 金属 |
| - 工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
| - 安装距离 | 6-30" |
| - 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洁 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专li. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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上海伯东: 罗先生
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