电源电压

VCC

5.5

V

工作温度

T _OPR

- 2 0 ～ + 55

℃

贮藏温度

T _STR

- 2 0 ～ + 85

℃

电源电压

VCC

3.6

5

5.25

V

工作电流

I _C

1200

mA

工作频率

F _REQ

860

960

MHz

射频输出功率

P _{R F}

0

30

dBm

射频输出功率精度

AP _{R F}

+/-1

dB

射频输出功率平坦度

FP _{R F}

+/-0.2

dB

接收灵敏度

SR

-85

dBm

GPI1&GPI2 输入电平

V _IL

V _IH

0

2

0.8

3.3

V

GPO1&GPO2 输出电平

V _OL

V _OH

0

2.9

0.4

3.3

V

GPO1&GPO2 输出电流

± I _O

5

mA

尺寸

L × W × H

55.7mmx35.5mm x 5.0mm

mm

序号

符号

描述

1

VCC

电源

2

VCC

3

GND

地

4

GND

5

EN

使能端，高电平有效，内部通过100K电阻上拉至VCC

6

GPO2

通用输出口，3.3V TTL电平，内部ARM直接驱动

7

GPI1

通用输入口，3.3V TTL电平，直接输入内部ARM 引脚

8

GPI2

9

RXD

串行通讯数据输入端，3.3V TTL电平

10

TXD

串行通讯数据输出端，3.3V TTL电平

11

RST

外部复位端，低电平有效，3.3V TTL电平，不用请悬空

12

GPO1

通用输出口，3.3V TTL电平，内部ARM直接驱动

序号

符号

描述

1

GND

地

2

GND

3

VCC

电源

4

VCC

5

EN

使能端，高电平有效，内部通过100K电阻上拉至VCC

6

RXD

串行通讯数据输入端，3.3V TTL电平

7

TXD

串行通讯数据输出端，3.3V TTL电平

8

RST

外部复位端，低电平有效，3.3V TTL电平，不用请悬空

9

GPO1

通用输出口，3.3V TTL电平，内部ARM直接驱动