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THZ发射极和THZ探测器由一个在砷化镓基片上制作的微带光电导天线（PCA）组成。根据泵浦激光波长，低温生长的砷化镓（lt-gaas）或Gabias用作光电导体。表面采用普通金属化工艺形成共面赫兹偶极天线结构。光电导天线的几何结构，以及光电导外延层的特性都经过了优化，以获得的THZ辐射输出效率，同时保持的带宽。因此，当输出功率为30 mW且脉冲持续时间小于150 fs时，典型的THZ辐射功......
【概述】
由高密度硅制成，安装在X-Y级。Teravil提供两种标准类型的透镜：用于准直或发散THZ光束输出。在第二种情况下，PCA被放置在硅透镜的再生点，这可以减少THZ光束的球面像差。
THZ发射器或探测器由面板侧的激光束照亮。激光束必须聚焦在两个电极之间（图1）。金属触点之间的间隙类似于探测器外壳中的激光光斑直径，而发射器外壳中的激光光斑直径更大。THZ辐射由集成透镜收集。
调整螺钉用于将硅透镜定位到PCA中心。外壳背面的SMA插座用于将直流或交流偏压连接到THZ发射器，并将锁
定放大器输入连接到THZ检测器。三个M6孔中的任何一个可用于安装在光学台上的THZ发射器。
基于LT-GaAs或GaBiAs光电导材料
针对800 nm或1060 nm左右的波长进行了优化
光谱范围广，噪音低
亚皮秒时间分辨率
随附技术护照和测试报告
时间分辨宽带太赫兹光谱
光学泵浦-THz探针光谱
太赫兹成像
| 模型 | 发射器 | 探测器 | | |
| EMT-08 | EMT-10 | DET-08 | DET-10 | |
| | ||||
| 光电导天线 | ||||
| 光导材料 | LT-GaAs | GaBiAs | LT-GaAs | GaBiAs |
| 晶圆的尺寸 | 5 × 1.5 mm | |||
| 厚度 | 600 µm | |||
| 天线类型 | 带状线 | 偶级 | ||
| 偏压 | 50 V, 典型值40 V | ±12 V | ||
| 中心太赫兹频率 | ~0.5 THz | 0.5 THz | ||
| 检测到太赫兹带宽 | – | up to 5 THz | ||
| 集成聚焦镜头 | ||||
| 材料 | HRFZ-silicon | |||
| 几何形式 | 超半球 | |||
| 太赫兹光束输出 | 准直或发散 | – | ||
| X-Y 可调节平台范围 | ±3 mm | |||
| 泵浦光束参数 | ||||
| 激发波长 | 800±40 nm | 1060±40 nm | 800±40 nm | 1060±40 nm |
| 平均功率 | <50 mW | <20 mW | <50 mW | <20 mW |
| 脉冲持续时间 | <150 fs | |||
| 脉冲重复频率 | 20-100 MHz | |||
| 光束轮廓 | 接近高斯 | |||
| 光束直径 | ~2 mm | |||
| 描述 | 模型 | 注释 |
| 用于800nm波长太赫兹发射器 | EMT-8 | 包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆 |
| 用于800nm波长的太赫兹探测器 | DET-8 | I包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆 |
| 用于1060nm波长太赫兹发射器 | EMT-10 | 包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆 |
| 用于1060nm波长的太赫兹探测器 | EMT-10 | 包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆 |
| 太赫兹发射器/探测器安装平台 | MNT | 包括XYZ平台上的泵浦光束聚焦镜头 |
| TMS-100M偏置电源 | TMS-100 | 30 - 70 V DC或方波输出 |
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