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产品介绍：Helios设计与飞秒激光放大器一起工作，采集14fs-8ns时域的瞬态吸收光谱，包括：基态漂白(GroundStateBleaching)、激发态吸收(ExcitedStateAbsorption)，受激辐射(StimulatedEmission)等光谱信息
产品介绍：
Helios 设计与飞秒激光放大器一起工作，采集14 fs - 8 ns时域的瞬态吸收光谱，包括：基态漂白 (Ground StateBleaching)、激发态吸收 (Excited State Absorption)，受激辐射 (Stimulated Emission)等光谱信息。
籍此分析单线态能级跃迁引发超快速能量转移、电子迁移、激发态能级跃迁、荧光辐射等信息。高速智能延时线，采集14 fs - 8 ns，采集~10 6 时域的3D瞬态吸收光谱，需~30 min（5min fire）。10 nJ(10 μW @1 kHz)低能量泵浦，适用于OPV/OLED/AIE等材料研究。大光谱范围：350 - 2400 nm，标配 450 - 800 nm。CMOS线阵列传感器，数据采集可与1000 Hz （可选：5,000 Hz ） 激光器同步。可升级为漫反射(Diffused reflectance)瞬态吸收光谱仪，内置Kubelka–Munk方程计算光吸收，漫反射与透射可以切换使用。
产品参数：
| 延时分辨率 | 14 fs |
| 时间分辨率* | 1.4 x 激光脉冲时间 |
| 时间窗口 | 8 ns |
| 适合激光频率 | 任意 |
| 探测波长
| 450 - 800 nm |
| 350 - 750 nm | |
| 选配：800 - 1600 nm | |
| 选配：1.6 – 2.4 µm | |
| Vis 检测器 | CMOS 线阵列传感器 |
| 像素 | 1024 |
| 响应波长 | 200 - 1000 nm |
| 分辨率 | 2 nm (50 µm 狭缝时)，4 nm (200 µm 狭缝时) |
| 光谱范围 | 600 nm ( 通常: 350 - 950 nm) |
| 采集速度 | 2400 条光谱/s，14bit |
| NIR 检测器 | InGaAs 线阵列传感器 (选配) |
| 像素 | 256 |
| 响应波长 | 800 - 1600 nm |
| 分辨率 | 5 nm (50 µm 狭缝时)，13 nm (200 µm 狭缝时) |
| 光谱范围 | 800 nm ( 通常: 800 - 1600 nm) |
| 采集速度 | 2400 条光谱/s，14bit； |
| SWIR 检测器 | InGaAs 线阵列传感器 (选配) |
| 像素 | 256 |
| 响应波长 | 1000 - 2600 nm |
| 分辨率 | 5 nm (50 µm 狭缝时)，13 nm (200 µm 狭缝时) |
| 光谱范围 | 800 nm ( 通常: 1600 - 2400 nm) |
| 采集速度 | 2400 条光谱/s，14bit |
| 数据格式 | ASCII CSV ( 兼容Excel) |
| 数据采集软件 | Helios 4.x |
| 数据分析软件 | Surface Xplorer |
| 光学模块体积 (长宽高) | 915 X 610 X 250 mm 3 |
| 电子模块体积 (长宽高) | 534 X 610 X 686 mm 3 |
* 分辨率与飞秒激光器的脉冲半峰宽有关，如果采用半峰宽为100fs的激光器，分辨率为140fs，在这里，分辨率是仪器的响应特征IRF。
主要应用：
1. 染料敏化光伏材料 (CdSe, PbS 量子点)的超快电荷分离研究
2. 有机光电材料（OPV）的电荷分离、电子迁移
3. 钙钛矿光伏材料的电荷分离、电子传递
4. 半导体载流子迁移率非线性光吸收材料的激发态吸收
5. 有机发光材料(OLED)的单线态失活、系间窜越、生成三线态过程
6. 金属配位卟啉类材料
7. 光催化过程的超快电荷转移
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