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刻蚀镀膜仪

订       金: 1320000

订  货  量: ≥1  台

具体成交价以合同协议为准

产品型号PECS II 685.M

品牌

厂商性质生产商

所在地 北京市

更新时间:2023-04-11 09:16:38 浏览次数:210次

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刻蚀镀膜仪型号:PECS II 685.M库号:M398493

刻蚀镀膜仪PECS II

型号685

刻蚀镀膜仪(PECS™)II是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设

备。

刻蚀镀膜仪型号:PECS II 685.M库号:M398493

刻蚀镀膜仪PECS II

型号685

刻蚀镀膜仪(PECS™)II是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设

备。

对于同一个样品,可在同一真空环境下完成抛光及镀膜.

PECS II是一款 独立、结构紧凑的台式设备。采用两个宽

束氩离子源对样品表面进行抛光,损伤层,从而得到高

质量样品,用于在SEM,光镜或者扫描探针显微镜上进行成

像、EDS、EBSD、CL、EBIC或其它分析。

PECS II采用WhisperLok®技术,可选配温控液氮冷却台。该

功能有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结

构变化。.

PECS II内置了一个10英寸的触摸屏。无论新手还是级用户,

都可提高样品的加工可控性及可重复性。数码变焦显微镜配合

DigitalMicrograph®软件,可实现对样品加工过程的实时监控及

储存彩照片,这便于在SEM中进行样品检查和分析。

主要应用

•半导体

•金属(氧化物,合金)

•陶瓷

•自然资源

技术规格

PECS II系统

离子源

离子两个配有稀土磁铁的潘宁离子

抛光角度0到18°

每支离子可独立调节

离子束能量(kV)0.1–8.0

离子束流密度峰值(mA/cm2)10

抛光速率(µm/h)300(对于硅试样)

离子束直径可用气体流量计或放电电压来调节

样品台

样品大小(长*宽*高,mm)32 x*15

转速(rpm)1–6

离子束调制角度范围可调的单向调制或双向调制

样品观察数码变焦显微镜,配有PC及

DigitalMicrograph软件(选配件)

真空系统

干泵系统两级隔膜泵支持80 L/s的涡轮分子泵

压力(torr)

基本压力5 x 10-6

工作压力8 x 10-5

真空规冷阴极型,用于主样品室;固体型,

用于前级机械泵

样品气锁WhisperLok技术,样品交换时

间小于1分钟

用户界面

10英寸彩触摸屏操作简单,且能够 控制所有参数

和配方式操作

尺寸及使用要求

外形尺寸(长x*宽*高,mm)575*495*615

运输重量(kg)45

功耗(W)

运行时待200

机时100

电源要求通用100–240 VAC,50/60 Hz(用

电压和频率)

氩气(psi)25

注:以上技术规格如有变化将不另行通知

订购型号

型号描述

685 Cold(685.C)带有冷台的PECS II

685 Pro(685.O)带有冷台和数字成像显微系统的

PECS II

685 Advantage(685.A)带有冷台、数字成像显微系统和马达

驱动离子系统的PECS II

685 Met Etch(685.M)PECS II基本版,不带溅射沉积

685 ProTransfer(685.OV)带有真空转移装置的PECS II Pro系

685 AdvantageTransfer(685.AV)带有真空转移装置的PECS II

Advantage系统

注:关于配件和耗材的详细情况,请咨询当地的销售代表。


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