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HTRS-1000 型 高温半导体材料电阻率测试仪 主要用于半导体材料导电性能的评估和测试，该系统采用四线电阻法测量原理进行设计开发，可以在高温、真空气氛的条件下测量半导体材料电阻和电阻率，可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。目前主要针对圆片、方块、长条等测试样品进行测试，可以广泛用于半导体材料硅（ si）、锗（ge）,化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb），三元化合物半导体GaAsAl、GaAsP，固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP等的块体材料的电阻率测量等材料的电阻率测量。
一、主要技术参数：
温度范围： RT-1000℃
升温斜率： 0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控温精度： ±0.5℃
电阻测量范围： 0.1mΩ~1MΩ
电阻率测量范围： 100nΩ..cm~100KΩ .cm
测量环境：惰性气氛、还原气氛、真空气氛
测量方法：四线电阻法
测试通道：单通道
样品尺寸： 10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
电极材料：上电极半圆型铂金电极，下电极平板型铂金电极
绝缘材料： 99氧化铝陶瓷
数据存储格式： TXT文本格式
数据传输： USB
符合标准： ASTM
供电： 220V±10%，50Hz
工作温度： 5℃ 至 + 40 ℃；
存储温度： –40 ℃ 至 +65 ℃
工作湿度： +40 ℃ 时，相对湿度高达 95%（无冷凝）
设备尺寸： 400x450x580mm
重量： 38kg