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武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司,一直 专注 于半导体的性能测试仪表的开发、生产 与 销售, 致力于 满足半导体领域从 材料 、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。
基于普赛斯电子岭先的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司 自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等 国产化电性能 测试仪表,以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。
普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内岭跑的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品 已 被国内通信巨图和多家之名半导体企业认可和应用 , 是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商 。未来,公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着圈球半导体电性能测试仪表的岭跑者迈进。
测试范围 | 0~300V/0~3A | 测试精度 | 0.03% |
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最大输出功率 | 30W |
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等;以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。 试玩电子平台是什么意思 认准普赛斯仪表!
接下来我们重点介绍应用广泛的二极管、三极管及MOS管的特性及其电性能测试要点。
1、二极管
二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性元器件,产品结构一般为单个PN结结构,只允许电流从单一方向流过。发展至今,已陆续发展出整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电二极管等,具有安全可靠等特性。
器件特性:结压降、不能变,伏安特性要会看,正阻强大反阻软,测量全凭它来管。
测试要点 :正向压降测试(VF)、反向击穿电压测试(VR)、C-V特性测试
2、三极管
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。
器件特性:三极管,不简单,几个特性要记全,输入输出有曲线,各自不同有深浅。
测试要点:输入/输出特性测试、极间反向电流测试、反向击穿电压测试(VR)、C-V特性测试
3、MOS管
MOSFET(金属―氧化物半导体场效应晶体管)是一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件,可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管等材料制作,是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压VGs(th)、漏电流lGss、lDss,击穿电压VDss、低频互导gm、输出电阻RDs等。
器件特性:箭头向里,指向N,N沟道场效应管;箭头向外,指向P,P沟道场效应管。
测试要点:输入/输出特性测试、阈值电压测试VGS(th)、漏电流测试、耐压测试、C-V测试
所以,何为电性能测试?半导体分立器件该如何进行电性能测试?
半导体分立器件电性能测试是对待测器件施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应,通传统的分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,如数字万用表、电压源、电流源等。
实施半导体分立器件特性参数分析的较佳工具之一是“五合一”数字源表(SMU),集多种功能于一体。
精准、稳定、高效的电性能测试方案可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具,大大提高测试效率。此外,基于核心的高精度数字源表,普赛斯还提供适当的电缆辅件和测试夹具,实现安全、可靠的测试。
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下纳安级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,有关 试玩电子平台是什么意思 的更多信息请咨询普赛斯仪表!
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