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武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司，一直 专注 于半导体的性能测试仪表的开发、生产 与 销售， 致力于 满足半导体领域从 材料 、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。
基于普赛斯电子岭先的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势，公司 自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等 国产化电性能 测试仪表，以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势，广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用；为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案，同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。
普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表，可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。作为国内岭跑的半导体电性能测试仪表提供商，普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野，推出的产品 已 被国内通信巨图和多家之名半导体企业认可和应用 ， 是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商 。未来，公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨，朝着圈球半导体电性能测试仪表的岭跑者迈进。
十ms级的上升沿和下降沿；
单台最大3500V的输出；
0.1%测试精度；
同步电流或电压测量；
支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；
产品简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
技术指标
电压性能参数：
| 电压 | 源 | 测量 | ||
| 量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
| 100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
| 600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
| 1200V | 120mV | 0.1%±300mV | 120mV | 0.1%±300mV |
| 1500V | 150mV | 0.1%±400mV | 150mV | 0.1%±400mV |
| 2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
| 3500V | 350mV | 0.1%±900mV | 350mV | 0.1%±900mV |
电流性能参数：
| 电流 | 源 | 测量 | ||
| 量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
| 1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
| 10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
| 100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
| 1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
| 10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
| 100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
较大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；
输出电压建立时间：<5ms；
输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴），支持四线测量；
扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；
通信接口：RS232、以太网；
保护：支持急停；
触发：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸2U机箱；
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
耀世娱乐注册官网网址 订货信息
| 型号 | E100 | E200 | E300 |
| 源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
| 测量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
| 较大功率 | 120W | 220W | 350W |
| 最小电压量程 | 100V | 100V | 100V |
| 较大电压量程 | 1200V | 2200V | 3500V |
| 最小电流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
| 较大电流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！
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