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全自动单双面接近式曝光机，兼容方形片光刻    4-12寸晶圆单、双面曝光机   定制型

主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、  晶圆级*封装、（TSV）等领域。

技术参数：

1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实

现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。

2．曝光面积： 定制

3．曝光照度不均匀性：≤3%；

4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；

5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；

6．紫外光中心波长：365nm；（可选汞灯全波段）

7．紫外光源寿命：≥2 万小时；

8．分离量：0～≥1090um 可调；

9．对准精度：≤1μm；

10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；

11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光

12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋

转精度 Q≤0.001°；

13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋

转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。

14．掩模版尺寸： 定制

15．晶圆尺寸： 定制

16.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；

17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；

18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；

19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；

20．曝光定时：0～999.9 秒可调；

21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；

22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；

23．洁净空气压力：≥0.4MPa；

24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；

26．重量：约 200kg