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  • 公司名称筱晓(上海)光子技术有限公司
  • 品       牌
  • 型       号AS8B115L24
  • 所  在  地上海市
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2024/6/8 12:01:52
  • 访问次数63
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公司简介筱晓(上海)光子技术有限公司是一家业的光学服务公司,业务涵盖设备代理以及项目合作研发,公司位于上海CBD商圈繁华地段,拥有600多m2的办公区域,建有的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室,为国内外客户提供业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。总部坐落于魔都上海,并在北京、香港、温哥华设立分公司。依托业、强大的技术支持,以及良好的商务支持团队,筱晓的业务范围正在逐年增长。目业务覆盖国内外各高校、顶科研机构及相关域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及业的研发实验室,奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发域坚实的基础。公司自成立以来,始终遵循行业先、诚信发展、探索创新、务实致远、以质取胜的服务理念,并在产品开发和销售中贯彻到底。公司自始至终秉承着标准的质量安全保障。。我们将不断完善管理机制和技术水平,为客户提供更安全环保的产品以及更优质的服务。主要经营激光器/光源半导体激光器(DFB激光器、SLD激光器、量子联激光器、FP激光器、VCSEL激光器)气体激光器(HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器)光纤激光器(连续激光器、超短脉冲激光器)光学元件光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件激光分析设备高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪,激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等光纤处理设备光纤拉锥机、裸光纤研磨机光学实验室近红外实验项目组:半导体激光器光谱分析,功率测试,光束质量测试,线宽测试,各种光无源器件的测试,光纤放大器等等近红外产品的测试。目我们在半导体测试,TDLAS激光法气体分析检测,DTS高温传感等项目研究开发域有着深厚的积累,能够为客户提供更加精准的器件方案支持。中红外实验项目组:负责公司中红外波段的相关产品。其中包括:中红外激光半导体器件测试,中红外QCL激光器的性能研发改进,中红外技术学习与推广应用,目我们已成熟具备QCL激光器对TDLAS气体测量技术,并提供整套系统器件,还具有的光谱仪AQ6377、波长计等测量设备,可以为客户提供实验服务,解答各类中红外产品售后问题。超快太赫兹微纳实验项目:承担超快、太赫兹及微纳交叉应用,整合相关技术到安全测试、生物传感等新型应用域。太赫兹设备正在积筹备中,依托超快激光器研发能力,拥有健全的核心元器件供应链;具备微纳光纤生产制备测试能力其产品可广泛用于生物、温度、压力、气体传感等域。
干涉仪
AnritsuSLD激光器840nm总览SLD(超辐射发光二管/SLED)光源提供与激光二管等效的输出功率和与LED(发光二管)等效的宽振荡光谱宽度,以及低相干度
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总览

SLD(超辐射发光二管/SLED)光源提供与激光二管等效的输出功率和与LED(发光二管)等效的宽振荡光谱宽度,以及低相干度。由于它发射的光具有相当于激光二管的窄有源层,因此非常适合进入光纤,并且具有介于LD和LED之间的特性。AS8B系列是为光学相干层析成像(OCT)光源和非相干光学测量设备开发的超发光二管(SLD)模块。

中心波长
1550nm
通用参数

特点

光纤输出功率高

2 mW(如果IF£120 mA)AS8B112G230M(Δλ:14 nm)

5 mW(如果IF£150 mA)AS8B115G230M(Δλ:14 nm)

5 mW(如果IF£180 mA)AS8B115L240M(Δλ:50 nm)

尾纤:SMF(Φ0.9 mm:尼龙涂层)

FC-APC连接器

14针蝶形组件

监视器PD和TEC(热电冷却器)内置在组件中

低功耗

应用

光学相干层析成像(OCT)

光学传感系统光源

尺寸

吸收大额定值

Item

Symbol

Rating

unit

AS8B112G230M

AS8B115G230M

AS8B115L240M

Optical output power

Pf

2.5

6.0

7.0

mW

SLD Forward current

IF

180

220

220

mA

SLD Reverse voltage

VR

2.0

V

PD Reverse voltage

VRD

20

V

Operation case

temperature

TC

-20 to 70

°C

Storage temperature

Tstg

-40 to 85

°C

TEC current

IC

2.0

A

注:超过大额定值可能导致故障。

光纤特性

Item

Min.

Typ.

Max.

unit

Cut-off wavelength

700

730

760

nm

Mode field diameter @850nm

4.5

5.0

5.5

μm

Clad diameter

123.5

125

126.5

μm

Coating diameter

850

-

950

μm

Fiber bending radius

13

-

-

mm


光学特性(TSLD=25°C、TC=25°C)

Item

Symbol

AS8B112G230M

AS8B115G230M

AS8B115L240M

unit

Min.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

Max.

Output power

Pf

2.0

-

-

5.0

-

-

5.0

-

-

mW

Forward voltage

VF

-

2.0

2.5

-

2.0

2.5

-

2.0

2.5

V

Forward current

(BOL)

IF

-

-

120

-

-

150

-

150

180

mA

Center

wavelength

λC

810

830

850

810

830

850

820

840

860

nm

Spectral Width

Δλ

10

14

-

10

14

-

45

50

-

nm

Monitor current

Im

0.2

-

-

0.2

-

-

0.05

-

2.0

mA

电气特性

Item

Symbol

Condition

Min.

Typ.

Max.

unit

PD dark current

Id

VR=5 V

-

-

0.1

μA

Tracking error

ΔPf

Im=const, Tc=-20 to 70°C

-1.0

-

1.0

dB

Cooler voltage

VC

IF=*EOL, Tc=70°C

-

-

2.5

V

Cooler current

IC

IF=*EOL, Tc=70°C

-

-

1.0

A

Thermistor resistance

Rth

TLD=25°C, B=3900±100K

9.5

10.0

10.5

注:BOL:寿命开始/EOL:寿命结束*EOL=BOL×1.2

标准性能

输出功率(Pf)/正向电压(VF)/监控电流(Im)

更新时间:2023/5/24 17:35:26

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