天庭宫殿

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的蕞佳工具之一是半导体分立器件静态测试系统，普赛斯 天庭宫殿 集多种测量和分析功能一体，可晶准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，皮安 级 电流晶准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

普赛斯功率器件静态测试系统特点和优势：

单台Z大3500V输出；

单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；

15us的超快电流上升沿；

同步测量；

国标全指标的自动化测试；

系统指标

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat

集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges

栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)

输入电容、输出电容、反向传输电容

续流二极管压降Vf

I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

更多有关 天庭宫殿 详情找普赛斯仪表专员为您解答，武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。