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北京百川宏宇交通设施有限公司是一家技术型企业。专业从事检测、力学、实验室设备、环境仪器等检测仪器研究、开发、生产及销售为一体的企业。主营产品有过滤器完整性检测仪，toc总有机碳分析仪，介电常数及介质损耗测试仪，电压击穿试验仪，绝缘电阻测试仪等。公司拥有专业技术队伍和营销队伍，产品质量稳定，性价比高。本公司成立的初衷就是希望通过我们丰富的经验给客户提供比产品本身更有价值的东西，来帮助客户选择仪器，必要时来指导客户操作仪器。 在这一点上百川在市场上受到广大用户及经销商的欢迎和好评。本公司所销售的仪器，都是经过一段时间的市场考验后，由我们的工程师进行评估后才决定是否进行推荐销售。所以这里每一款产品都是我们为您精挑细选的。在市场竞争日趋激烈的今天，价格因素往往起到了决定性作用，但是我们坚信，只有高质的产品才能给客户解决工作中实际问题，只有高质的服务才能让客户购买正确的检测仪器，购买后没有后顾之忧。本着诚信、服务、务实、创新的经营理念，“销售仪器、提供优质服务”，在制药、化工、环保、科研、大学、医学等领域开拓了广泛的市场，赢得了广大用户的支持和信赖。在今后的发展中，我们将一如既往地把国内外的仪器设备介绍并提供给国内的用户，孜孜追求，不懈努力，不断提高服务水平，为提升用户的检测水平和科研水平贡献各自的绵薄之力，与广大用户共同享受科技成果，在互利协作中共同进步。 我们拥有充满活力的高素质销售队伍和技术全面、经验丰富的售后服务队伍，这既是我们公司发展的源泉，也是我们向客户提供良好服务的保证。客户对公司的充分信赖和鼎力支持是我们赖以发展的基础， 北京百川宏宇交通设施有限公司将与广大用户一起努力、一起进步！
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导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.
双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.
采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.
双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.
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