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北京北极新华科技有限公司多年来致力于“诚信为本、真挚合作、顾客至上、热忱服务"的宗旨，竭诚为国内外广大用户及贸易企业提供优质的货源。是一家专业经营电力电子器件、功率模块及变频器配件，成套销售公司，公司的主要业务是代理销售功率模块、电力电子器件、变频器备件、模块式电源及电源模块。公司经营产品包括，器件部：经销西门子、英飞凌；EUPEC、西门康、富士、东芝、三社、三菱、三肯、日立、美国IR、IXYS、ABB,施耐德,丹佛斯，IGBT、IPM、PIM、GTR、可控硅、快恢复二极管、场效应模块、整流桥、二极管等功率模块；IGTB、GTR驱动模块、可控硅触发板、磁板，驱动板，控制板，励磁可控硅，功率板，电源板，励磁模块,电源板驱动板,主板,熔断器,保险丝,制动单元，电抗器，光耦；日立电解电容、美国CDE电解电容及无感电容、日本大功率制动电阻、西门康SKIIP系列智能模块，西门子电力器件，广泛应用于风电、新能源、铁路机车、煤矿牵引等领域。
| IGBT管在使用过程中，经常受到容性或感性负载的冲击，发生过负荷甚至负载短路等，可能导致IGBT管损坏。IGBT管在使用时的损坏原因主要有过电压损坏和静电损坏 大多数过电压保护电路的设计都比较完善，但是对于由高du/dt所致的过电压故障，在设计中基本上都是采用无感电容或者RCD结构的吸收电路。由于吸收电路设计的吸收容量不够，会造成IGBT管损坏，对此可采用电压钳位，往往在集电极和栅极两端并接齐纳二极管（推荐使用美国Diodes公司的1.5KE××A产品系列），采用栅极电压动态控制方式。当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时，超出的电压将叠加在栅极上（米勒效应起作用），避免了IGBT管因受集电极一发射极过电压而损坏。 采用栅极电压动态控制可以解决由于过高的du/dt带来的集电极一发射极瞬间过电压问题，但是它的弊端是：当IGBT管处于感性负载运行状态时，关断的IGBT管由于其反并联二极管（续流二极管）的恢复，其集电极和发射极两端的电压急剧上升，承受很高的瞬间du/dt。在多数情况下该du/dt值要比IGBT管正常关断时的集电极一发射极电压上升率高。 由于米勒电容（Cres）的存在，该du/dt值将在集电极和栅极之间产生一个瞬间电流流向栅极驱动电路。该电流与栅极电路的阻抗相互作用，直接导致栅极一发射极电压UGE升高，甚至超过IGBT管的开通门限电压UGEth，出现的恶劣情况就是使IGBT管被误触发导通。1200V-IGBT 3（Trench）-SKIIP 3 |
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