半导体功率器件静态测试系统

半导体功率器件静态测试系统简介

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（M OSFET 、B JT 、I GBT 等）的静态参数，电压可高达3 KV, 电流可高达4 KA 。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性， u Ω级电阻，p*电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。

普 赛 斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I -V 测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室， 新能源 ， 光伏 ， 风电 ， 轨交 ， 变频器 等场景。

系统 特点

• 高电压：支持高达3 KV 高电压测试；

• 大电流：支持高达 4KA 大电流测试；

• 高精度：支持uΩ级电阻、p A 级电流、u V 级精准测量；

• 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；

• 配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；

• 数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；

• 模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；

• 可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；

• 可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

  技术指标