光刻机介绍
曝光装置MA-1200基板 追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ~ ø6″
光源超高压水银灯 :500W or 1kW
曝光装置MA-1400基板 追大尺寸 400 x 400mm
光源 超高压水银灯 : 2kW or 3.5kW
LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2~4″或者Ø4~6″
光源超高压汞灯:500W 或 1kW
Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M 材料SI 玻璃,对齐精度 自动对齐:+/- 1 μm(
峰值搜索)
Ø300 mm对应曝光装置MA-5301ML光源 超高压汞灯:3.5kWØ200mm规格也可对应
マスクレス露光装置MX-1201曝光扫描速度 43.94 mm/s有效曝光区域 200 x 200追大曝光量(※3)245/70/245+70
マスクレス露光装置 MX-1201E 曝光扫描速度22.5mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量(※3)460/70135
マスクレス露光装置 MX-1205 曝光扫描速度9/4.5mm/s 有效曝光区域100 x 100 追大曝光量(※3)100/50
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| MA-4301M |
Wafer尺寸 | 材料 | Si,Glass |
尺寸 | Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm |
Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm |
节拍时间 | Proximity exposure:19 s/wafer (One parallelism compensation per lot) |
对位精度 | 自动对位:+/- 1 μm (Peak search) |
间隙 | 1 to 200 μm Servo motor Setup resolution:1 μm |
曝光方式 | Soft contact exposure Hard contact exposure Proximity exposure |
尺寸・重量 | 本体尺寸:W 1800 x D 1650 x H 2015 mm 总重量(including lamp house):1400 kg |