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近红外单光子探测器InP基雪崩光电二极管工作偏置电压高于击穿电压时（盖格模式），单光子入射到探测器上会产生宏观电流脉冲
近红外单光子探测器
InP 基雪崩光电二极管工作偏置电压高于击穿电压时（盖格模式）， 单光子入射到探测器上会产生宏观电流脉冲。结合适当的脉冲 检测电路，该器件可检测波长范围为 0.9μm 至 1.2μm 的单光子。
应用
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 值 | 参数 |
| 击穿电压 Vb Breakdown Voltage | 50 | 55/75 | 80 | 击穿电压 Vb Breakdown Voltage |
| 温度系数 Temp. dependence of Vb | 0.12 | 温度系数 Temp. dependence of Vb | ||
| 探测效率 Detection Efficiency | 20 | 30 | 50 | 探测效率 Detection Efficiency |
| 暗计数率 Dark Count Rate | 1 | 5 | 30 | 暗计数率 Dark Count Rate |
| 光敏面直径 Effective Optical | 60/80/100 | 光敏面直径 Effective Optical | ||
| 封装方式 Encapsulation | TEC/TO 管壳 | 多模光纤 TO 管壳 | 封装方式 Encapsulation | |
| 型号 Model | SGA-1064-60/-80/-100 | SGA-F-1064 | 型号 Model | |
机械规格(MECHANISM SPECIFICATIONS)
| 引脚标号 | 功能描述 |
| 1 | 制冷器（+） |
| 2 | 空 |
| 3 | 空 |
| 4 | 空 |
| 5 | 热敏电阻 |
| 6 | |
| 7 | 器件（n） |
| 8 | 器件（p） |
| 9 | 制冷器（-） |
| 备注：此表格对应的类型是单元器件 | |
产品管理(PRODUCT HANDLING)
单位：mm
雪崩光电二极管（APDs）对静电放电（ESD）很敏感，在处理这些器件是一定要注意防静电措施，在使用时带上静电手环等保护设备，防止器件的损坏。
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