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产品特点（*为选配件）
低电压
碳材料样品，低电压下，穿透深度较小，可以获取样品表面真实形貌，细节更丰富。
毛发样品，在低电压下，电子束辐照损伤减小，同时消除了荷电效应。
低真空
过滤纤维管材料，导电性差，在高真空下荷电明显，在低真空下，无需镀膜即可实现对不导电样品的直接观察。
大视场
生物样品，采用大视场观察，能够轻松获得瓢虫整体形貌及头部结构细节，展现跨尺度分析。
导航&防碰撞
特色功能
丰富拓展性：
扫描电子显微镜不仅局限于表面形貌的观察，更可以进行样品表面的微区成分分析。
SEM3200接口丰富，除支持常规的二次电子探测器（ETD）、背散射电子探测器（BSED）、X射线能谱仪（EDS）外，也预留了诸多接口，如电子背散射衍射（EBSD）、阴极射线（CL）等探测器都可以在SEM3200上进行集成。
背散射电子探测器
二次电子成像和背散射电子成像对比
背散射电子成像模式下，荷电效应明显减弱，并且可以获得样品表面更多的成分信息。
应用案例：
产品参数：
| 型号 | SEM3200A | SEM3200 | ||
|---|---|---|---|---|
| 电子光学系统 | 电子枪类型 | 预对中型发叉式钨灯丝电子枪（灯丝电流3档可调，可显示灯丝更换时间） | ||
| 分辨率 | 高真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | ||
| 4 nm @ 30 kV（BSE） | ||||
| 8 nm @ 3 kV（SE） | ||||
| *低真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | |||
| 放大倍率 | 1-300,000x（底片倍率） | |||
| 1-1000,000x（屏幕倍率） | ||||
| 加速电压 | 0.2 kV～30 kV | |||
| 探针电流 | ≥1.2μA，可实时显示 | |||
| 成像系统 | 探测器 | 二次电子探测器（ETD） | ||
| *背散射电子探测器、*低真空二次电子探测器、*能谱仪EDS等 | ||||
| 图像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |||
| 真空系统 | 真空模式 | 高真空 | 优于5×10 -4 Pa | |
| *低真空 | 5～1000 Pa | |||
| 控制方式 | 全自动控制 | |||
| 样品室 | 摄像头 | 光学导航 | ||
| 样品仓内监控 | ||||
| 样品台配置 | 三轴自动 | *五轴自动 | ||
| 行程 | X: 120 mm | X: 120 mm | ||
| Y: 115 mm | Y: 115 mm | |||
| Z: 50 mm | Z: 50 mm | |||
| / | R: 360° | |||
| / | T: -10°～ +90° | |||
| 能谱仪 | 能谱仪探测器 | 分析型SDD硅漂移电制冷探测器，有效面积≥30 mm 2 ，晶体面积≥50 mm 2 ，高分子超薄窗设计，无需液氮冷却，仅消耗电能 | ||
| 能谱仪能量分辨率 | Mn Ka保证优于129eV | |||
| 元素分析范围 | B5～Cf98 | |||
| 软件 | 语言 | 中文 | ||
| 操作系统 | Windows | |||
| 导航 | 光学导航、手势快捷导航、可自动叠加电镜图片 | |||
| 自动功能 | 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散 | |||
| 特色功能 | 智能辅助消像散、*大图拼接（选配软件） | |||
| 安装要求 | 房间 | 长 ≥ 3000 mm，宽 ≥ 4000 mm，高 ≥ 2300 mm | ||
| 温度 | 20 ℃～25 ℃ | |||
| 湿度 | ≤ 50 % | |||
| 电气参数 | 电源AC 220 V(±10 %)，50 Hz，2 kVA | |||
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