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  • 公司名称富泰微科学仪器(上海)有限公司
  • 品       牌
  • 型       号
  • 所  在  地上海市
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2024/6/17 12:05:39
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富泰微科学仪器(上海)有限公司总部坐落于上海,在江苏设立办事处。富泰微专注纳米级微观光学仪器研发,销售以及售后服务。主要产品包括:SEM扫描电子显微镜、AFM原子力显微镜、TEM透射电子显微镜、FIB聚焦离子束显微镜、共聚焦显微镜、浩视3D显微镜、ZYGO白光干涉仪、ZYGO激光干涉仪、台阶膜厚仪等纳米级光学测量仪器。 公司拥有专业化的管理团队和完善的管理体系,内部建立了完善的服务平台。从产品售前到售后服务都能进行全程的跟踪与管控。公司拥有多年行业管理和销售经验,在细分行业中,得到行业中客户及同行业的高度认可。 我司产品被广泛应用于化工、电子、半导体、材料、生物技术、食品以及政府单位和高校科研院所等领域。
离子研磨仪
产品介绍 高性能与高灵活性兼备“Ethos”采用日立高新的核心技术--的高亮度冷场发射电子枪及新研发的电磁复合透镜,不但可以在低加速电压下实现高分辨观察,还可以在FIB加工时实现实时观察。
棋牌室麻将馆最新政策 产品信息

高性能FIB-SEM系统 Ethos NX5000.jpg




产品介绍:


高性能与高灵活性兼备

“Ethos”采用日立高新的核心技术--的高亮度冷场发射电子枪及新研发的电磁复合透镜,不但可以在低加速电压下实现高分辨观察,还可以在FIB加工时实现实时观察。
SEM镜筒内标配3个探测器,可同时观察到二次电子信号的形貌像以及背散射电子信号的成分衬度像;可非常方便的帮助FIB找寻到纳米尺度的目标物,对其观察以及加工分析。
另外,全新设计的超大样品仓设置了多个附件接口,可安装EDS
*1 和EBSD *2 等各种分析仪器。而且NX5000标配超大防振样品台,可全面加工并观察直径为150mm的样品。
因此,它不仅可以用于半导体器件的检测,而且还可以用于从生物到钢铁磁性材料等各种样品的综合分析。

*1
Energy Dispersive x-ray Spectrometer(能谱仪(EDS))
*2
Electron Backscatter Diffraction(电子背散射衍射(EBSD))




产品特点:


核心理念

1. 搭载两种透镜模式的高性能SEM镜筒

  •     HR模式下可实现高分辨观察(半内透镜)

  •     FF模式下可实现高精度加工终点检测(Timesharing Mode)

2. 高通量加工
  •     可通过高电流密度FIB实现快速加工(束流100nA)

  •     用户可根据自身需求设定加工步骤

3. Micro Sampling System*3
  •     运用ACE技术(加工位置调整)抑制Curtaining效应

  •     控制离子束的入射角度,制备厚度均匀的薄膜样品

4. 实现低损伤加工的Triple Beam System*3
  •     采用低加速(Ar/Xe)离子束,实现低损伤加工

  •     去除镓污染

5. 样品仓与样品台适用于各种样品分析
  •     多接口样品仓(大小接口)

  •     超大防振样品台(150 mm□)

*3 选配


高性能SEM镜筒


       Ethos搭载的SEM配有两种透镜模式。HR模式可将样品置于透镜磁场之中,实现样品的高分辨观察。FF模式可在最短10nsec内切换FIB照射与SEM观察。用户可在高速帧频下观察SEM图像的同时,进行FIB加工,因此,可轻松判断截面的加工终点。NX5000采用电磁复合透镜,即使在FF模式下也可保持高分辨观察。




高分辨SEM观察实例



高性能FIB镜筒


通过高电流密度FIB可实现快速加工、广域加工、多处自动加工等



分时扫描模式


在FIB、Ar/Xe离子束照射时,可实时或分时观察SEM图像



采用Cut & See模式可实现三维重构



抑制FIB加工损伤的高质量TEM样品制备


采用低加速氩离子束以及高电流密度FIB,可实现快速加工、广域加工以及多处自动加工等



在制备极薄样品时,必须采用广域且低损伤的加工方法。


Ethos采用样品加工位置调整与低加速氩离子束精加工相结合的ACE技术,可制备出高质量的TEM薄膜样品。


ACE: Anti Curtaining Effect


GUI设计进一步提升了视觉美观和响应速度




建立多样化的加工模式与定序



超大样品仓支持各种用途


■ 配置支持高分辨观察的防振样品台
■ 设置多种接口,可加装更多的选配附件,实现多种样品加工、观察以及分析



产品规格:


项目 内容
FIB 二次电子像分辨率(C.P) 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速电压 0.5 kV – 30 kV
探针电流范围 0.05 pA – 100 nA
离子源 GA液体金属离子源
SEM 二次电子像分辨率(C.P) 1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
加速电压 0.1 kV – 30 kV
探针电流范围 5 pA – 10 nA
电子枪 冷场场发射电子枪
标准探测器 In-Column二次电子探测器 SE(U)
In-Column背散射电子探测器 BSE(U)
In-Column背散射电子探测器 BSE(L)
Chamber二次电子探测器 SE(L)
驱动范围(5轴反馈控制) X 155 mm
Y 155 mm
Z 16.5 mm
R 0 - 360° 旋转
T -10~59°
样品尺寸 直径 150 mm
选配 Ar/Xe离子束系统
Micro Sampling System
气体注入系统(双室或三室贮气筒)
电动搬运式样品交换仓
连续自动加工软件
连续A-TEM2
各种样品杆
EDS(能谱仪)
EBSD(电子背散射衍射)




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