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设备配置 | 2C2D、4C、4D |
设备产能 | 180WPH |
衬底材质 | Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等 |
线宽 | ≥0.35um |
适用工艺 | G-line、i-line、PI |
应用领域 | MEMS、功率器件、射频集成、光通讯、LED、科研等 |
技术特征 | ◼ 设备采用高速机械手、产能高,稳定性好; ◼ 配置有RRC功能,光刻胶4寸用量可控制在0.6ml; ◼ 设备故障、生产工艺参数等记录等可长期保存备查; ◼ 光刻胶采用精密计量泵供应,精度高,供液稳定,出胶量设定方便; ◼ 可做两种尺寸兼容,不需要更换零件; ◼ 可选配光刻胶显影液温控, HMDS等单元部件。 |
设备尺寸 | 1650*1450*2040mm(W*D*H) |
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