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工控摘要：东京大学的器件是采用硅掺杂部分P型砷化镓（GaAs）壁垒结合自行聚合砷化铟（InAs）形成量子点，以构建激光二极管的有源发光区域，再将这些器件键合到硅基底上。

近日，日本东京大学研制出了键合在硅基底上的1.3m量子点（QD）激光二极管。光子电路通常以硅为基底，但目前的光源通常采用化合物半导体研制。特别是，研究人员正在寻求大温度范围下稳定工作的器件，以实现更高的工作温度。东京大学的器件是采用硅掺杂部分P型砷化镓（GaAs）壁垒结合自行聚合砷化铟（InAs）形成量子点，以构建激光二极管的有源发光区域，再将这些器件键合到硅基底上。

有源区域由8层P-GaAs壁垒中自行聚合的InAs量子点结构组成。每层的点密度为6×1010/cm2。试验中对直接和金属介导两种键合工艺进行了测试，两种工艺研制的器件均可在超过100℃的条件下发射1.3m（光通信的O波段）的激光。这些结果证实了，采用晶圆键合工艺研制的硅上III-V族量子点激光器有望在高密度光子集成电路中实现温度稳定的运行。