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BALLUFF传感器是外界的压力（或拉力）引起应变材料的几何形状（长度或宽度）发生改变，进而导致材料的电阻发生变化。检测这个电阻变化量可以测得外力的大小。压阻式压力传感器通常是半导体压敏材料。半导体压阻式传感器在受到外力后，自身的几何形状几乎没有什么改变，而是其晶格参数发生改变，影响到禁带宽度。禁带宽度哪怕是非常微小的改变，都会引起载流子密度很大的改变，这zui终引起材料的电阻率发生改变。可见两种材料虽然都对外力变化呈现出电阻的变化，但原理不同。另外，应变式材料对外力的敏感度远远低于半导体压阻材料，后者的灵敏度是前者的约100倍；应变材料特性受温度影响较小，而半导体压阻材料对温度敏感。
BALLUFF传感器主要由两个半环形磁钢组成的梯度磁场和位于磁场的锗材料半导体霍尔片（敏感元件）装置构成。此外，还包括测量电路（电桥、差动放大器等）及显示部分。是两个结构相同的直流磁路系统共同形成一个沿x 轴的梯度磁场。为使磁隙中的磁场得到较好的线性分布，在磁面装有特殊形式的极靴。用它制作的位移传感器灵敏度很高。霍尔片置于两个磁场中，细心调整它的初始位置，即可使初始状态的霍尔电势为零。它的位移量较小，适于测量微位移和机械振动等。当霍尔元件通以恒定电流时，在其垂直于磁场和电流的方向上就有霍尔电势输出。霍尔元件在梯度磁场中上、下移动时，输出的霍尔电势V 取决于其在磁场中的位移量x。测得霍尔电势的大小便可获知霍尔元件的静位移。