2014年06月23日 12:00:32人气:973来源:
摘要:日前,整流器公司(简称IR)推出大罐式DirectFETMOSFET系列,适用于要求极低导通电阻(RDS(on))的工业应用,包括大功率直流电机,直流/交流逆变器,以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。
全新7mmx9mmx0.7mm大罐式封装器件提供的导通电阻性能,从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具备双面散热功能,可提供*传热性能,提升功率密度。由于提供*的裸片对占位面积比,DirectFET可有效缩减电路板尺寸。新器件还具备0.7mm的超薄厚度,为受空间限制的高功率工业电源设计提供理想的解决方案。
与DirectFET系列的其它器件一样,全新的工业用大罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)的所有要求,例如提供*不含铅的物料清单,因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类型的高性能封装则包含采用含铅的裸片贴装,虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a)项豁免条款,但这项豁免将于2016年到期。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“DirectFET系列新增大罐式封装器件后,继续业界成为市场上zui可靠、zui高性能的MOSFET封装产品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面积比D2PAK等传统的大型塑料表面贴装功率封装显著减小,而且增加了上方散热性能,因而非常适合空间受限的长寿命工业电源设计。”
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