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2015年06月03日 09:20:09人气:2111来源:北京固力通达机电设备有限公司

 IGBT

模块简介

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor(

绝缘栅双极型晶体管

)

的缩写,

IGBT

是由

MOSFET

和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为

MOSFET

,输出极为

PNP

晶体

管,它融和了这两种器件的优点,既具有

MOSFET

器件驱动功率小和开关速度快的优点,

又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于

MOSFET

与功率晶体管之

间,可正常工作于几十

kHz

频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,

在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。


IGBT

的等效电路如图

1

所示。由图

1

可知,若在

IGBT

的栅极和发射极之间加上驱动正

电压,则

MOSFET

导通,这样

PNP

晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导

通;若

IGBT

的栅极和发射极之间电压为

0V

,则

MOS

截止,切断

PNP

晶体管基极电流的

供给,使得晶体管截止。

IGBT

MOSFET

一样也是电压控制型器件,在它的栅极

发射极

间施加十几

V

的直流电压,只有在

uA

级的漏电流流过,基本上不消耗功率。

IGBT

模块的选择


IGBT

模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。

其相互关系见

下表。使用中当

IGBT

模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗

增大,使原件发热加剧,因此,选用

IGBT

模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高

频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。


3

使用中的注意事项


由于

IGBT

模块为

MOSFET

结构,

IGBT

的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。

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