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IGBT
模块简介
IGBT
是
Insulated Gate Bipolar Transistor(
绝缘栅双极型晶体管
)
的缩写,
IGBT
是由
MOSFET
和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为
MOSFET
,输出极为
PNP
晶体
管,它融和了这两种器件的优点,既具有
MOSFET
器件驱动功率小和开关速度快的优点,
又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于
MOSFET
与功率晶体管之
间,可正常工作于几十
kHz
频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,
在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT
的等效电路如图
1
所示。由图
1
可知,若在
IGBT
的栅极和发射极之间加上驱动正
电压,则
MOSFET
导通,这样
PNP
晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导
通;若
IGBT
的栅极和发射极之间电压为
0V
,则
MOS
截止,切断
PNP
晶体管基极电流的
供给,使得晶体管截止。
IGBT
与
MOSFET
一样也是电压控制型器件,在它的栅极
—
发射极
间施加十几
V
的直流电压,只有在
uA
级的漏电流流过,基本上不消耗功率。
IGBT
模块的选择
IGBT
模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。
其相互关系见
下表。使用中当
IGBT
模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗
增大,使原件发热加剧,因此,选用
IGBT
模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高
频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。
3
使用中的注意事项
由于
IGBT
模块为
MOSFET
结构,
IGBT
的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。
由
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